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Si4108DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
60
25 °C, unless otherwise noted
10
4 8
36
24
12
V GS = 10 thru 6 V
V GS = 5 V
8
6
4
2
T C = 125 °C
T C = 25 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
0.00 8 60
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
3000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.00 8 45
2400
C iss
1 8 00
0.00 8 30
1200
V GS = 10 V
0.00 8 15
600
C oss
0.00 8 00
0
C rss
0
15
30
45
60
0
15
30
45
60
75
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 13. 8 A
2.1
V DS - Drain-to-So u rce V oltage( V )
Capacitance
I D = 13.8 A
8
6
4
2
0
V DS = 3 8 V
V DS = 60 V
1. 8
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68635
S-81195-Rev. A, 26-May-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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